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Thèses et Mémoire de l'Université de Strasbourg

Implantation ionique et jonctions ultrafines : caractérisation, ingénierie des défauts et application aux technologies 65 et 45 nm

CAGNAT DROGUE, Nathalie (2008) Implantation ionique et jonctions ultrafines : caractérisation, ingénierie des défauts et application aux technologies 65 et 45 nm. Thèses de doctorat, Université Louis Pasteur.

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Résumé

Le dopage est une étape clé de la fabrication des composants : de la quantité de dopants actifs dans le silicium va dépendre leurs propriétés électriques. Les zones dopées sont formées par implantation ionique car ce procédé possède de nombreux avantages. Toutefois, il génère des défauts qui assistent la diffusion des dopants (donc réduisent le contrôle dimensionnel) et qui sont la source de fuites de courant. L’objectif de cette thèse est de neutraliser ces défauts. Après avoir décrit les différents types de défauts connus et les mécanismes proposés dans la littérature pour leur évolution, nous expliquons leurs effets sur la diffusion des dopants. La compréhension des mécanismes physiques impliqués dans la formation des jonctions nécessite les caractériser avec des moyens adaptés. Nous discutons des limitations des moyens classiques pour les jonctions inférieures à 30 nm et nous présentons des alternatives possibles. Enfin, nous remplissons l’objectif de la thèse, en agissant sur les étapes d’implantation ionique sans modifier le reste du procédé. En étudiant les paramètres liés à l’implantation, nous identifions le flux d’implantation comme un paramètre clé dans la génération des défauts ponctuels. Puis nous proposons une solution intégrable réduisant la diffusion du bore, du phosphore et de l’arsenic : la co-implantation du carbone dans le silicium amorphisé. Nous optimisons la localisation du carbone en fonction des mécanismes de diffusion spécifiques du bore et du phosphore. En plus de cela, nous avons étudié l’interaction entre les dépôts espaceurs et ces dopants implantés dans les extensions des source-drain et les poches.

Type d'EPrint:Thèse de doctorat
Discipline de la thèse / mémoire / rapport :Électronique, électrotechnique et automatique. Microélectronique
Mots-clés libres:silicium ; défaut ponctuel ; diffusion ; jonction ultrafine ; dopage ; carbone ; phosphore ; bore ; arsenic
Sujets:CL Classification > DDC Dewey Decimal Classification > 600 Technologie (sciences appliquées) > 620 Sciences de l'ingénieur > 621 Génie mécanique. Physique appliquée > 621.3 Electrotechnique, éclairage, électronique, télécommunications > 621.38 Électronique et télécommunications
Classification Thèses Unistra > Sciences, technologies > Sciences appliquées > 620 Sciences de l'ingénieur > 621 Génie mécanique. Physique appliquée > 621.3 Electrotechnique, éclairage, électronique, télécommunications > 621.38 Électronique et télécommunications

UNERA Classification UNERA > ACT Domaine d'activité UNERA > ACT-9 Electronique, automatique, électrotechnique, génie électrique
CL Classification > DDC Dewey Decimal Classification > 600 Technologie (sciences appliquées) > 620 Sciences de l'ingénieur > 620.5 Nanotechnologie
Classification Thèses Unistra > Sciences, technologies > Sciences appliquées > 620 Sciences de l'ingénieur > 620.5 Nanotechnologie

UNERA Classification UNERA > DISC Discipline UNERA > DISC-21 Ingénierie et technologies
Code ID:1597
Déposé le :20 Mars 2009

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