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Thèses et Mémoire de l'Université de Strasbourg

Contribution à l'étude du cuivre dans le silicium et d'une technique de caractérisation associée.

BELAYACHI-FARID, Assia (2003) Contribution à l'étude du cuivre dans le silicium et d'une technique de caractérisation associée. Thèses de doctorat, Université Louis Pasteur.

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Résumé

Le cuivre est un contaminant majeur du silicium, connu pour être à l’origine de défaillances de composants intégrés. Son introduction dans les composants submicroniques engendre un risque supplémentaire de contamination et de fait accentue le besoin d’outils pour la détection du cuivre à l’état de trace dans le silicium. Cette thèse a pour but d’étudier les propriétés physiques du cuivre dans le silicium en utilisant la technique TID (pour Transient Ion Drift) comme outil de détection. Le chapitre I expose le comportement des impuretés métalliques en particulier le cuivre dans le silicium et les enjeux technologiques quant à la détection du cuivre à l’état de trace. Une description de la méthode utilisée dans ce travail a été détaillée dans le deuxième chapitre. L’optimisation de la cinétique d’activation, étape thermique nécessaire avant toute mesure TID, pour minimiser le risque de contamination supplémentaire a fait l’objet du troisième chapitre. Le chapitre IV a été consacré à l’étude du comportement du cuivre interstitiel sous l’effet de la lumière visible. Des modèles théoriques à l’appui ont été utilisés pour expliquer les différents résultats obtenus. La dernière partie du manuscrit sera consacrée à l’étude du comportement du cuivre dans le silicium de type FZ (Fusion de Zone).

Type d'EPrint:Thèse de doctorat
Mots-clés libres:Si, Cu, semiconducteur, traitement thermique, four rapid, TID, exo-diffusion, précipitation, dissolution, diffusion, solubilité.
Sujets:CL Classification > DDC Dewey Decimal Classification > 500 Sciences de la nature et mathématiques > 530 Physique > 539 Physique moderne > 539.1 Structure de la matière
Classification Thèses Unistra > Sciences, technologies > Sciences de la nature et mathématiques > 530 Physique > 539 Physique moderne > 539.1 Structure de la matière

UNERA Classification UNERA > ACT Domaine d'activité UNERA > ACT-3 Chimie, matériaux, plasturgie
UNERA Classification UNERA > DISC Discipline UNERA > DISC-20 Physique, chimie, matériaux
Code ID:806
Déposé le :29 Septembre 2004

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